霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。

该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。仪器轻巧方便，易于携带。

本仪器系统由：实验室电磁铁、高精度双极性电源、内置高斯计、高精度原表JH401、霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

可测试材料

 半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；Ø

低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；

 高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。